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    SI ALD LL硅层沉积

     

    产品概述

    原子层沉积系统是为小型生产、研究而设计的和发展,并用于大学。它允许沉积很少的超薄膜纳米材料具有良好的均匀性和与三维表面的良好一致性。精确地控制通过在真空中分别添加前驱体,可以提高薄膜的厚度和薄膜性能在工艺循环过程中。ALD的特性为半导体工程、MEMS和其他纳米技术应用提供了许多好处。


    ALD LL是为多种沉积模式和工艺而开发和设计的使用灵活的系统架构。它可以通过进一步的前驱体系、等离子体源、现场监测和许多其他选择。SI ALD LL使热等离子体成为可能增强(可选)沉积的氧化物,氮化物,金属,和其他材料的不同衬底类型和尺寸。


    单个晶圆片或载体直径可达200毫米,通过真空负载锁定加载。选择和放置机制,使清洁和小心处理的基板。可编程的负载锁的清洗周期确保操作人员的安全和腔室的清洁。底物卡盘可控制在400℃以下,反应器壁可控制在150℃以下。衬底电极的温度范围可选择性地扩展到500℃。的前身箱体可配置多达4条加热前驱体管线,并可单独进入反应器。总共可以安装6个前驱体。可编程的加热和清洗循环反应器确保操作人员的安全和室内清洁。质量流量控制器(MFCs)提供了高净化气体和载气的恒定流量。真空系统配有干泵适用于可靠的中低压操作。


    SI ALD LL可以选择配备一个实时监测(RTM)光学在线沉积过程的循环诊断。


    该系统由先进的软硬件控制,采用客户端-服务器体系结构。一个经过验证的可靠的远程现场控制器(RFC)用于所有组件的实时控制。RFC实现了基本的安全联锁。


    该系统由以下?樽槌:

    反应堆单元(含反应堆、负荷锁、电子、气体和前驱体供应系统)

    电脑、显示器和键盘

     

    粗泵

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